特許
J-GLOBAL ID:200903020565604275

加圧接触型半導体装置、及びこれを用いた変換器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-104344
公開番号(公開出願番号):特開平11-297929
出願日: 1998年04月15日
公開日(公表日): 1999年10月29日
要約:
【要約】【課題】加圧接触型半導体装置における、特に半導体素子とパッケージ電極間の均一な接触状態を確保し、かつ熱抵抗,電気抵抗を低減する方法を提供する。【解決手段】平型パッケージの中において、第一主面に少なくとも第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する少なくとも一つ以上の半導体素子を組み込んだ加圧接触型の半導体素子と共通電極板の電極間、または半導体素子の各主面上に配置した中間電極板と共通電極板との間に多孔質の金属板を配置する。【効果】接触面の高さのばらつきを十分に吸収できるので、接触界面での熱抵抗及び電気抵抗を低減できる。
請求項(抜粋):
両面に露出する一対の電極板の間を絶縁性の外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に少なくとも第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する少なくとも一つ以上の半導体素子を組み込んだ半導体装置であって、該半導体素子と電極板との間に多孔質の金属板を配置したことを特徴とする加圧接触型半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/52
FI (2件):
H01L 25/04 C ,  H01L 21/52 J
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
  • 圧接型半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-124704   出願人:株式会社日立製作所
  • 圧接型半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-028286   出願人:株式会社日立製作所
  • 圧接型半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-227109   出願人:株式会社東芝
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