特許
J-GLOBAL ID：201203098447108365

半導体装置及びその作製方法

発明者：
野田 耕生

野田 耕生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-051314
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199542
出願日： 2012年03月08日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：
【課題】しきい値電圧の制御が困難な酸化物半導体を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】一対の第1の領域、一対の第2の領域及び第3の領域を有する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して設けられる一対の電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介し、一対の電極の間に設けられたゲート電極と、を有し、一対の第1の領域は一対の電極と重畳し、第3の領域はゲート電極と重畳し、一対の第2の領域は一対の第1の領域及び第3の領域の間に形成され、一対の第2の領域及び第3の領域には窒素、リン、または砒素のいずれかの元素が含まれており、該元素の濃度は、第3の領域より一対の第2の領域のほうが高い構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一対の第1の領域、一対の第2の領域及び第3の領域を有する酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と接して設けられる一対の電極と、 前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介し、前記一対の電極の間に設けられたゲート電極と、を有し、 前記一対の第1の領域は前記一対の電極と重畳し、前記第3の領域は前記ゲート電極と重畳し、前記一対の第2の領域は前記一対の第1の領域及び前記第3の領域の間に形成され、 前記一対の第2の領域及び前記第3の領域には窒素、リン、または砒素のいずれかの元素が含まれており、 前記元素の濃度は、前記第3の領域より前記一対の第2の領域のほうが高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/10 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00
FI (11件)：
H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 461 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338
Fターム (120件)：
5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA15 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA20 ,  5F083AD01 ,  5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F101BA17 ,  5F101BB02 ,  5F101BC20 ,  5F101BD07 ,  5F101BD30 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BH16 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ11 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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