特許
J-GLOBAL ID:201403057727128635

成膜装置および膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 古部 次郎 ,  千田 武 ,  加藤 謹矢
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-285156
公開番号(公開出願番号):特開2014-127666
出願日: 2012年12月27日
公開日(公表日): 2014年07月07日
要約:
【課題】膜の形成における原料ガスの使用効率を向上させ、且つ、成膜対象となる基板に対する、反応生成物の落下および付着を抑制する。【解決手段】基板を収容する収容室100の内部空間において、基板の側方からX方向に沿って原料ガスGsを供給するとともに、基板よりもX方向の上流側から原料ガスGsのZ方向への浮き上がりを抑制する第1ブロックガスGb1および第2ブロックガスGb2を供給し、基板の直上から原料ガスGsのZ方向のへの浮き上がりを抑制する第3ブロックガスGb3を供給し、基板よりもX方向の下流側から原料ガスGsのZ方向への浮き上がりを抑制するとともに内部空間100aのX方向の下流側且つ下方に設けられた排出口に原料ガスGs等を導く第4ブロックガスGb4を供給する。【選択図】図8
請求項(抜粋):
内部空間を有し、当該内部空間における下方側において膜の形成面が上方を向くように基板を収容する収容室と、 前記内部空間に収容された前記基板を加熱する加熱手段と、 前記内部空間に、前記基板の側方から当該基板に向かう第1方向に沿って、前記膜の原料となる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、 前記内部空間に、前記基板よりも前記第1方向の上流側且つ上方から、当該基板に向かって前記第1方向に移動する前記原料ガスの上方への移動を抑制する上流側ブロックガスを供給する上流側ブロックガス供給手段と、 前記内部空間に、前記基板の上方から、当該基板上を前記第1方向に移動する前記原料ガスの上方への移動を抑制する中流側ブロックガスを供給する中流側ブロックガス供給手段と、 前記内部空間に、前記基板よりも前記第1方向の下流側且つ上方から、当該基板上を通過した前記原料ガスの上方への移動を抑制する下流側ブロックガスを供給する下流側ブロックガス供給手段と、 前記内部空間における前記第1方向の下流側且つ当該内部空間の下方側から、前記原料ガス、前記上流側ブロックガス、前記中流側ブロックガスおよび前記下流側ブロックガスを外部に排出する排出手段と を含む成膜装置。
IPC (2件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件):
H01L21/205 ,  C23C16/455
Fターム (41件):
4G146MA14 ,  4G146MB03 ,  4G146NA04 ,  4G146NA12 ,  4G146NB05 ,  4G146QA01 ,  4G146QA04 ,  4G146QA08 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05 ,  5F045EE13 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F045EM09
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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