酸素不含ケイ素系膜及びその形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 小林良博 , 出野知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-157982
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027285
出願日： 2013年07月30日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：

【課題】酸素不含ケイ素系膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】酸素不含ケイ素系膜は>50原子%のケイ素を含む。1つの態様において、ケイ素系膜はSixCyNz(式中、XPSにより測定してxは約51〜100、yは0〜49、そしてzは0〜50原子質量(wt.)パーセント(%)である)の組成を有する。1つの態様において、酸素不含ケイ素系膜は、ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2-3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体、例えば、1,4-ジシラブタンを用いて堆積された。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基材の少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成するための方法であって、該方法は、基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供すること、ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2-3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、化学蒸着(CVD)、低圧化学蒸着(LPCVD)、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)、サイクリック化学蒸着(CCVD)、プラズマ強化サイクリック化学蒸着(PECCVD)、原子層堆積(ALD)及びプラズマ強化原子層堆積(PEALD)からなる群より選ばれる堆積法により前記少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、ここで、前記酸素不含ケイ素系膜はX線光電子分光法(XPS)により測定して約51〜約99原子質量%のケイ素を含む、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , C23C 16/42

FI (2件)：

H01L21/318 B , C23C16/42

Fターム (23件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030BA29 , 4K030BA37 , 4K030BA40 , 4K030BA41 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 5F058BA01 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-186394 出願人：株式会社日立国際電気
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公報種別：公開公報出願番号：特願2011-124074 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
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公報種別：公開公報出願番号：特願2008-262106 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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