優勢エッチング抵抗性を具備する低K誘電バリアを得る方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-262106
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170872
出願日： 2008年10月08日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリア特性を設けた誘電バリアを形成する方法を提供する。【解決手段】半導体基板を処理する方法を提供し、この方法は、ケイ素-炭素結合および炭素-炭素結合を備える前駆物質を処理チャンバへ流すステップと、半導体基板上に炭素-炭素結合を有する誘電バリア膜を形成するために、処理チャンバ内において前駆物質の低密度プラズマを生成するステップであって、この前駆物質中の炭素-炭素結合の少なくとも一部は低密度プラズマ中に保存されかつ誘電膜内に組み込まれるステップと、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板を処理する方法であって、ケイ素-炭素結合および炭素-炭素結合を備える前駆物質を処理チャンバへ流すステップと、前記半導体基板上に炭素-炭素結合を有する誘電バリア膜を形成するために、前記処理チャンバ内において前記前駆物質の低密度プラズマを生成するステップであって、前記前駆物質中の前記炭素-炭素結合の少なくとも一部が前記低密度プラズマ中に保存されかつ前記誘電膜内に組み込まれるステップと、を備える方法。

IPC (6件)：

H01L 21/312 , H01L 21/318 , C23C 16/42 , C23C 16/505 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/312 C , H01L21/318 B , C23C16/42 , C23C16/505 , H01L21/90 J

Fターム (39件)：

4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA16 , 4K030LA15 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR29 , 5F033RR30 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033WW07 , 5F033XX28 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF01 , 5F058AH02 , 5F058BD10 , 5F058BD13 , 5F058BF07 , 5F058BF26 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF38 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

銅拡散バリア性絶縁膜の形成方法およびその絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-134772 出願人：三井化学株式会社
電子ビームによって低誘電率膜を硬化する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-503689 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
誘電体フィルムの堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-230269 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る