特許
J-GLOBAL ID：201403058293207686

液晶表示装置

発明者：
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-173642
公開番号（公開出願番号）：特開2013-254222
出願日： 2013年08月23日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：
【課題】工程数を減らした半導体装置【解決手段】トランジスタの有する半導体膜と電極を同一工程を経て形成することができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上のゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のチャネルと、 前記ゲート絶縁膜上の画素電極と、 前記チャネル上及び前記画素電極上の絶縁層と、 前記絶縁層上の共通電極と、 前記共通電極上の液晶層と、を有する液晶表示装置であって、 前記チャネル及び前記画素電極はインジウムと、亜鉛と、ガリウムと、を有し、 前記画素電極は前記チャネルと電気的に接続され、 前記画素電極と前記共通電極とは、前記画素電極と前記共通電極との電位差に依存して前記液晶層の液晶分子を制御することができる機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/134 ,  G02F 1/136
FI (2件)：
G02F1/1343 ,  G02F1/1368
Fターム (30件)：
2H092GA14 ,  2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA46 ,  2H092JB05 ,  2H092JB16 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB64 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KB14 ,  2H092NA27 ,  2H192AA24 ,  2H192BB02 ,  2H192BB04 ,  2H192BB12 ,  2H192BB13 ,  2H192BB53 ,  2H192BB54 ,  2H192BB73 ,  2H192BC42 ,  2H192CB02 ,  2H192CB37 ,  2H192DA32 ,  2H192FB03 ,  2H192FB42
引用特許：
出願人引用 (4件)
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