特許

J-GLOBAL ID：201403059115897390

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

発明者： 川端 健志 ,  椿 英明 ,  滝沢 裕雄 ,  横川 夏海
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (14件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-112307
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029481
出願日： 2013年05月28日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：

【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス及び良好な露光ラチチュード(EL)を高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生するイオン性構造部位を備えた繰り返し単位であって、下記一般式(I)で表される繰り返し単位(A)を有する樹脂(P)を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。(式中、Ar1は2価の芳香環基を表す。X1は単結合、-O-、-S-、-C(=O)-、-S(=O)-、-S(=O)2-、又は置換基を有してもよいメチレン基を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生するイオン性構造部位を備えた繰り返し単位であって、下記一般式(I)で表される繰り返し単位(A)を有する樹脂(P)を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  C08F 12/14 ,  C08F 212/14

FI (6件)：

G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F12/14 ,  C08F212/14

Fターム (88件)：

2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF21P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH14 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42X ,  2H125AJ43X ,  2H125AJ43Y ,  2H125AJ44X ,  2H125AJ45X ,  2H125AJ45Y ,  2H125AJ47X ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ66Y ,  2H125AM12P ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA05 ,  4J100AB02S ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AB07S ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11S ,  4J100BA15S ,  4J100BA40S ,  4J100BA51P ,  4J100BA56P ,  4J100BB07P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC49S ,  4J100BC53S ,  4J100BC58P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-213454   出願人：富士フイルム株式会社
• 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-041378   出願人：富士フイルム株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-173187   出願人：富士フイルム株式会社
• スルホン酸誘導体及び光酸発生剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-338282   出願人：東洋合成工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-023412   出願人：富士フイルム株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-209753   出願人：富士フイルム株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性組成物、及び、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、並びに、樹脂
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-261119   出願人：富士フイルム株式会社