特許
J-GLOBAL ID:201303032155998749

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-209753
公開番号(公開出願番号):特開2013-083959
出願日: 2012年09月24日
公開日(公表日): 2013年05月09日
要約:
【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、残渣低減、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、また、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法の提供。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位(A)と、下記一般式(I)で表される繰り返し単位(C)とを有する樹脂(P)を含有し、前記樹脂(P)の分散度が1.20以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位(A)と、下記一般式(I)で表される繰り返し単位(C)とを有する樹脂(P)を含有し、前記樹脂(P)の分散度が1.20以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
IPC (5件):
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 8/34 ,  C08F 12/22
FI (5件):
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F8/34 ,  C08F12/22
Fターム (73件):
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF19P ,  2H125AF21P ,  2H125AF27P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH07 ,  2H125AH11 ,  2H125AH13 ,  2H125AH14 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ09X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ45X ,  2H125AJ47X ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ65X ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD09P ,  2H125CD35 ,  2H125CD37 ,  4J100AB07P ,  4J100BA02H ,  4J100BA15H ,  4J100BA56H ,  4J100BB07P ,  4J100BB12H ,  4J100BC04H ,  4J100BC08H ,  4J100BC09H ,  4J100BC43H ,  4J100BC44H ,  4J100BC49H ,  4J100BC53H ,  4J100CA01 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100HA19 ,  4J100HA61 ,  4J100HC13 ,  4J100HC69 ,  4J100HC71 ,  4J100HC72 ,  4J100JA37
引用特許:
審査官引用 (7件)
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