特許

J-GLOBAL ID：201403061439921140

パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

発明者： 中村 貴之 ,  山中 司
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (16件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-086755
公開番号（公開出願番号）：特開2014-211490
出願日： 2013年04月17日
公開日（公表日）： 2014年11月13日
要約：

【課題】有機溶剤系現像液を用いたパターン形成方法において、液浸露光を適用する場合に、液浸露光後にレジスト膜上に残存した液浸液に起因する微細な水残り欠陥のないパターンを形成することが可能なパターン形成方法、そのパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供すること。【解決手段】酸の作用により1種類以上の有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、液浸液を介して感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、感活性光線性又は感放射線性膜を加熱する工程、及び、感活性光線性又は感放射線性膜を、有機溶剤を含む現像液で現像する工程をこの順序で含み、更に、感活性光線性又は感放射線性膜を洗浄する工程を、前記膜形成工程後且つ前記露光工程前、および/または、前記露光工程後且つ前記加熱工程前に含むパターン形成方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

-酸の作用により1種類以上の有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、 -液浸液を介して感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、 -感活性光線性又は感放射線性膜を加熱する工程、及び -感活性光線性又は感放射線性膜を、有機溶剤を含む現像液で現像する工程 をこの順序で含み、更に、 -感活性光線性又は感放射線性膜を洗浄する工程を、前記膜形成工程後且つ前記露光工程前、および/または、前記露光工程後且つ前記加熱工程前に含むパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/004

FI (5件)：

G03F7/38 501 ,  G03F7/38 511 ,  H01L21/30 565 ,  H01L21/30 568 ,  G03F7/004 501

Fターム (52件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096DA03 ,  2H096DA04 ,  2H096EA05 ,  2H096FA04 ,  2H096FA05 ,  2H096GA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH12 ,  2H125AH15 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM23P ,  2H125AM66P ,  2H125AM91P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125EA21P ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  2H196AA25 ,  2H196BA06 ,  2H196DA03 ,  2H196DA04 ,  2H196EA05 ,  2H196FA04 ,  2H196FA05 ,  2H196GA03 ,  5F146BA11 ,  5F146DA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法及びレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-196667   出願人：信越化学工業株式会社
• 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-326908   出願人：東京エレクトロン株式会社
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-087420   出願人：株式会社東芝
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-246302   出願人：株式会社東芝