特許
J-GLOBAL ID：201403061598716581
MgZnO系結晶の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-036103
公開番号（公開出願番号）：特開2014-162690
出願日： 2013年02月26日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：
【課題】簡便な装置で制御性に優れ、しかも安全かつ容易にMgZnO系結晶を得る方法を提供する。【解決手段】ZnO結晶上に炭酸塩を拡散補助剤として塗布して拡散補助層を形成する工程S1と、拡散補助層をMgZnO結晶体で覆う工程S2と、ZnO結晶、前記拡散補助層及び前記MgZnO結晶体からなる積層体の熱処理を行ってMgZnO結晶体のMgをZnO結晶中に拡散する工程S3と、を有している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ZnO結晶上に炭酸塩を拡散補助剤として塗布して拡散補助層を形成する工程と、
前記拡散補助層をMgZnO結晶体で覆う工程と、
前記ZnO結晶、前記拡散補助層及び前記MgZnO結晶体からなる積層体の熱処理を行って前記MgZnO結晶体のMgを前記ZnO結晶中に拡散する工程と、
を有することを特徴とするMgZnO結晶を形成する方法。
IPC (3件)：
C30B 29/22
, C30B 31/02
, C30B 1/10
C30B29/22 Z
, C30B31/02
, C30B1/10
4G077AA02
, 4G077BC60
, 4G077CA03
, 4G077CA09
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077FB01
, 4G077FE11
, 4G077HA12
, 4G077JA03
, 4G077JB07
, 4G077JB12
