特許
J-GLOBAL ID：200903044607077633

自立Mg含有ZnO系混晶単結晶ウエファーおよびそれに用いるMg含有ZnO系混晶単結晶の製造方法

発明者：
関和 秀幸

関和 秀幸 について

, 
小林 純

小林 純 について

, 
宮本 美幸

宮本 美幸 について

, 
大橋 直樹

大橋 直樹 について

, 
坂口 勲

坂口 勲 について

, 
和田 芳樹

和田 芳樹 について


出願人/特許権者：
三菱瓦斯化学株式会社

三菱瓦斯化学株式会社 について

, 
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


代理人 (5件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  田村 恭子 ,  杉山 共永 ,  鈴木 康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-080629
公開番号（公開出願番号）：特開2009-234824
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】組成均一性が高い自立Mg含有ZnO系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。【解決手段】溶質であるZnOおよびMgOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液8に、種結晶基板7を直接接触させ、種結晶基板7を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりMg含有ZnO系混晶単結晶を成長させ、その後、基板7を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した-c面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Mg含有ZnO系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
厚み50μm以上の板状形状を有し、板の厚み方向、および、面内方向の何れに対しても均一なZnとMgとの化学組成を有し、かつ、表裏面のうち少なくとも1面がエピタキシャル成長可能な平坦性を有することを特徴とする自立Mg含有ZnO系混晶単結晶ウエファー。
IPC (4件)：
C30B 29/16 ,  C30B 19/02 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/208
FI (4件)：
C30B29/16 ,  C30B19/02 ,  C30B33/00 ,  H01L21/208 D
Fターム (30件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077BB07 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077EH09 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA05 ,  4G077HA06 ,  4G077HA11 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA32 ,  4G077QA42 ,  5F053AA03 ,  5F053BB60 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053PP02 ,  5F053PP08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM