窒化物半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：藤原康高 , 野木新治 , 高橋拓也 , 黒田久美子 , 熊谷靖 , 大西邦幸 , 石川隆史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-024636
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116636
出願日： 2014年02月12日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：

【課題】本発明は、過電圧印加時に電圧クランプ機能を有する窒化物半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】第1の窒化物半導体からなる第1の層と、前記第1の層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体からなる第2の層と、前記第2の層に電気的に接続され、第1の方向に延在する第1の電極と、前記第1の電極と離間して前記第2の層の上に設けられ、前記第1の方向において複数設けられた第2の電極と、前記第2の層の上において前記第2の電極間に設けられ、前記第1の電極に向けて第2の電極よりも突出した部分を有するフローティング電極と、を有することを特徴とする窒化物半導体素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の窒化物半導体からなる第1の層と、前記第1の層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体からなる第2の層と、前記第2の層に電気的に接続され、第1の方向に延在する第1の電極と、前記第1の電極と離間して前記第2の層の上に設けられ、前記第1の方向において複数設けられた第2の電極と、前記第2の層の上において前記第2の電極間に設けられ、前記第1の電極に向けて第2の電極よりも突出した部分を有するフローティング電極と、を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (12件)：

H01L 29/41 , H01L 29/812 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 21/28 , H01L 29/06 , H01L 29/868 , H01L 29/861 , H01L 21/329 , H01L 29/87

FI (12件)：

H01L29/44 Y , H01L29/80 L , H01L29/80 H , H01L29/48 D , H01L29/48 F , H01L21/28 301B , H01L29/06 301F , H01L29/91 D , H01L29/91 F , H01L29/91 H , H01L29/06 301D , H01L29/90 Z

Fターム (23件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104CC00 , 4M104EE08 , 4M104FF00 , 4M104FF07 , 4M104FF10 , 4M104FF11 , 4M104GG03 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GS06 , 5F102GS07

引用特許：

出願人引用 (3件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-374570 出願人：株式会社東芝
窒化物含有半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-255467 出願人：株式会社東芝
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-083195 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-374570 出願人：株式会社東芝
窒化物含有半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-255467 出願人：株式会社東芝
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-083195 出願人：株式会社東芝

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