特許

J-GLOBAL ID：200903034384982244

窒化物含有半導体装置

発明者： 齋 藤 渉 ,  大 村 一 郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-255467
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073802
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 高アバランシェ耐量を有する、高耐圧且つ超低オン抵抗の窒化物含有電力用半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒化物含有半導体装置は、ソース電極4に電気的に接続され、ゲート電極6よりもドレイン電極5側に突出して延在するp型窒化ガリウム(GaN)層3が、バリア層としてのノンドープ又はn型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)層2上に形成されているものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

チャネル層として形成されたノンドープの第1の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(0≦x≦1))層と、 前記第1の窒化アルミニウムガリウム層上にバリア層として形成されたノンドープ又はn型の第2の窒化アルミニウムガリウム(AlyGa1-yN(0≦y≦1,x<y))層と、 前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上の所定領域に所定間隔ごとに形成されたストライプ状の部分を有するp型の第3の窒化アルミニウムガリウム(AlzGa1-zN(0≦z≦1))層と、 前記第3の窒化アルミニウムガリウム層の一端に電気的に接続されるように前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上に形成されたソース電極と、 前記第3の窒化アルミニウムガリウム層の他端から離隔して前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上に形成されたドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間であって前記第3の窒化アルミニウムガリウム層の他端よりも前記ソース電極寄りに前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上に形成されたゲート電極と、 を備えていることを特徴とする窒化物含有半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/78 301B

Fターム (29件)：

5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140CD08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaN電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-347307   出願人：日本電信電話株式会社