特許

J-GLOBAL ID：201403063780656783

酸化物結晶薄膜の製造方法

発明者： 織田 真也 ,  人羅 俊実
出願人/特許権者： 株式会社FLOSFIA
代理人 (3件)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-118358
公開番号（公開出願番号）：特開2014-234337
出願日： 2013年06月04日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
要約：

【課題】炭素不純物濃度の低減と高い成膜速度を両立させることができ、かつ安定的な結晶構造の作り分けを可能にする薄膜製造方法を提供する【解決手段】本発明によれば、ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方と水とを含む原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子を成膜室に供給する工程を備え、前記ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方は、臭化物又はヨウ化物である、酸化物結晶薄膜の製造方法が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方と水とを含む原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子を成膜室に供給する工程を備え、前記ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方は、臭化物又はヨウ化物である、酸化物結晶薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/16 ,  C30B 7/14

FI (2件)：

C30B29/16 ,  C30B7/14

Fターム (8件)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BB01 ,  4G077BB10 ,  4G077CB08 ,  4G077EC01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-164748   出願人：公立大学法人高知工科大学
• 透明導電性非晶質膜の製造方法、及び透明導電性非晶質膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-074897   出願人：住友化学株式会社
• 特開平1-189815
  

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Heteroepitaxy of Corundum-Structured α-Ga2O3 Thin Films on α-Al2O3 Substrates by Ultrasonic Mist C
• Evaluation of Misfit Relaxation in α-Ga2O3 Epitaxial Growth on α-Al2O3 Substrate
• Electrical Conductive Corundum-Structured α-Ga2O3 Thin Films on Sapphire with Tin-Doping Grown by S