特許
J-GLOBAL ID：201403064612564586

基板乾燥方法および基板乾燥装置

発明者：
北川 広明

北川 広明 について

, 
宮 勝彦

宮 勝彦 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (3件)： 振角 正一 ,  梁瀬 右司 ,  大西 一正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-149317
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011426
出願日： 2012年07月03日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】優れた乾燥性能を有しつつ短時間で基板を乾燥させる。【解決手段】パターン12が形成された基板表面Wfにパターン12の深さH2以上の厚みH1で形成された昇華物質の凝固体13に対し、昇華物質の凝固点以下の第1の温度T1の乾燥ガスを供給して凝固体13の表層部13aを構成する昇華物質を昇華する第1昇華工程と、第1昇華工程により表層部13aが凝固体13から除去されて基板表面Wfに残留する残留部13bに対し、第1の温度T1よりも低い第2の温度T2の乾燥ガスを供給して残留部13bを構成する昇華物質を昇華する第2昇華工程とを備える。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
パターンが形成された基板表面に前記パターンの深さ以上の厚みで形成された昇華物質の凝固体に対し、前記昇華物質の凝固点以下の第1の温度の乾燥ガスを供給して前記凝固体の表層部を構成する前記昇華物質を昇華する第1昇華工程と、 前記第1昇華工程により前記表層部が前記凝固体から除去されて前記基板表面に残留する残留部に対し、前記第1の温度よりも低い第2の温度の乾燥ガスを供給して前記残留部を構成する前記昇華物質を昇華する第2昇華工程と を備える基板乾燥方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  F26B 5/06
FI (2件)：
H01L21/304 651B ,  F26B5/06
Fターム (32件)：
3L113AA01 ,  3L113AB10 ,  3L113AC21 ,  3L113AC23 ,  3L113AC29 ,  3L113AC67 ,  3L113BA34 ,  3L113DA10 ,  3L113DA24 ,  5F157AA09 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AC03 ,  5F157AC24 ,  5F157BB22 ,  5F157BB45 ,  5F157BH18 ,  5F157BH19 ,  5F157BH21 ,  5F157CB03 ,  5F157CB11 ,  5F157CB13 ,  5F157CB28 ,  5F157CE55 ,  5F157CE66 ,  5F157CF22 ,  5F157CF34 ,  5F157CF38 ,  5F157CF42 ,  5F157CF60 ,  5F157DA21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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