特許
J-GLOBAL ID:201403065080667612

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-193456
公開番号(公開出願番号):特開2014-049695
出願日: 2012年09月03日
公開日(公表日): 2014年03月17日
要約:
【課題】有機塗布膜の熱応力によりパッシベーション膜にクラックが発生することを抑制する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置10は、半導体基板12と、絶縁膜58と、第1のパッシベーション膜76と、第2のパッシベーション膜70と、応力緩和層72と、有機塗布膜80と、樹脂層82を有する。絶縁膜58は、半導体基板12の上方に配置されている。第1のパッシベーション膜76は、絶縁膜58の上方に配置されている。第2のパッシベーション膜70は、第1のパッシベーション膜76の上方に配置されている。応力緩和層72は、第2のパッシベーション膜70の上方に配置されている。有機塗布膜80は、応力緩和層72の上方に配置されている。樹脂層82は、有機塗布膜80の上方に配置されている。応力緩和層72のヤング率は有機塗布膜80のヤング率より小さく、かつ、第2のパッシベーション膜のヤング率より小さい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板と、 半導体基板の上方に配置されている絶縁膜と、 絶縁膜の上方に配置されている第1のパッシベーション膜と、 第1のパッシベーション膜の上方に配置されている第2のパッシベーション膜と、 第2のパッシベーション膜の上方に配置されている応力緩和層と、 応力緩和層の上方に配置されている有機塗布膜と、 有機塗布膜の上方に配置されている樹脂層を有しており、 応力緩和層のヤング率が有機塗布膜のヤング率より小さく、かつ、第2のパッシベーション膜のヤング率より小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/318
FI (8件):
H01L21/90 S ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 655F ,  H01L21/312 B ,  H01L21/312 N ,  H01L21/318 B
Fターム (31件):
5F033HH08 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F058AA02 ,  5F058AC02 ,  5F058AC05 ,  5F058AC10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD04 ,  5F058AD06 ,  5F058AD11 ,  5F058AE01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD02 ,  5F058BD09 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ01
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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