特許
J-GLOBAL ID:201403065080667612
半導体装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-193456
公開番号(公開出願番号):特開2014-049695
出願日: 2012年09月03日
公開日(公表日): 2014年03月17日
要約:
【課題】有機塗布膜の熱応力によりパッシベーション膜にクラックが発生することを抑制する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置10は、半導体基板12と、絶縁膜58と、第1のパッシベーション膜76と、第2のパッシベーション膜70と、応力緩和層72と、有機塗布膜80と、樹脂層82を有する。絶縁膜58は、半導体基板12の上方に配置されている。第1のパッシベーション膜76は、絶縁膜58の上方に配置されている。第2のパッシベーション膜70は、第1のパッシベーション膜76の上方に配置されている。応力緩和層72は、第2のパッシベーション膜70の上方に配置されている。有機塗布膜80は、応力緩和層72の上方に配置されている。樹脂層82は、有機塗布膜80の上方に配置されている。応力緩和層72のヤング率は有機塗布膜80のヤング率より小さく、かつ、第2のパッシベーション膜のヤング率より小さい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板と、
半導体基板の上方に配置されている絶縁膜と、
絶縁膜の上方に配置されている第1のパッシベーション膜と、
第1のパッシベーション膜の上方に配置されている第2のパッシベーション膜と、
第2のパッシベーション膜の上方に配置されている応力緩和層と、
応力緩和層の上方に配置されている有機塗布膜と、
有機塗布膜の上方に配置されている樹脂層を有しており、
応力緩和層のヤング率が有機塗布膜のヤング率より小さく、かつ、第2のパッシベーション膜のヤング率より小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 21/768
, H01L 23/532
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/739
, H01L 21/312
, H01L 21/318
FI (8件):
H01L21/90 S
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 652N
, H01L29/78 655F
, H01L21/312 B
, H01L21/312 N
, H01L21/318 B
Fターム (31件):
5F033HH08
, 5F033PP06
, 5F033QQ48
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR24
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT02
, 5F033WW00
, 5F033XX17
, 5F033XX19
, 5F058AA02
, 5F058AC02
, 5F058AC05
, 5F058AC10
, 5F058AD02
, 5F058AD04
, 5F058AD06
, 5F058AD11
, 5F058AE01
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH03
, 5F058BC08
, 5F058BD02
, 5F058BD09
, 5F058BD19
, 5F058BF07
, 5F058BJ01
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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