特許
J-GLOBAL ID：201403065479480800

炭化珪素ショットキダイオード

発明者：
前山 雄介

前山 雄介 について

, 
冨田 昌明

冨田 昌明 について

, 
清水 正章

清水 正章 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松尾 誠剛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-193629
公開番号（公開出願番号）：特開2012-235171
特許番号：特許第5607120号
出願日： 2012年09月03日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素半導体基板の表面に形成されるショットキ電極と、該ショットキ電極の周囲を取囲むべく、炭化珪素半導体基板の表面に不純物が導入されて成るガードリングと、該ガードリング上に延在すると共に当該ガードリングの周囲を取囲むように前記炭化珪素半導体基板の表面上に延在する絶縁膜とを備え、 前記ショットキ電極は、前記炭化珪素半導体基板の表面上において前記ガードリングに接し、かつ、前記絶縁膜上にも延在し、 前記ガードリング、前記絶縁膜及び前記ショットキ電極により構成される周辺耐圧構造を有する炭化珪素ショットキダイオードにおいて、 前記絶縁膜は、下から順に熱酸化膜、PSGおよび窒化膜の順に積層された構造を有することを特徴とする炭化珪素ショットキダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 29/48 E ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/86 301 E ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/86 301 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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