炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-148180
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324585
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】基板裏面に極めて低抵抗のオーミックコンタクトを有する縦型パワー炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】平板なSiC基板1の第1の主面側に主要な構成部分を設け、第1の主面の裏面である第2の主面側に少なくとも1つの熱処理型オーミック電極9を設けてなるSiC半導体装置において、熱処理型オーミック電極9は、第2の主面の表層に高温イオン注入で形成された、平坦かつ低抵抗な高濃度不純物領域4に接している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平板な炭化珪素基板の第1の主面側に主要な構成部分を設け、前記第1の主面の裏面である第2の主面側に少なくとも1つの熱処理型オーミック電極を設けてなる炭化珪素半導体装置において、前記熱処理型オーミック電極は、前記第2の主面の表層に高温イオン注入で形成された、平坦かつ低抵抗な高濃度不純物領域に接していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 29/739 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/48 D , H01L29/06 301G , H01L29/78 652G , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/78 658A

Fターム (13件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD09 , 4M104DD11 , 4M104DD16 , 4M104DD36 , 4M104DD68 , 4M104GG03

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化珪素への電極形成法および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-289530 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (8件)

特開平4-215426
炭化珪素への電極形成法および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-289530 出願人：松下電器産業株式会社
熱処理装置、熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-263822 出願人：株式会社デンソー

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