特許
J-GLOBAL ID：200903060265573302

オーミック電極構造体の製造方法、オーミック電極構造体、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
谷本 智

谷本 智 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-086200
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276978
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】微細化に有利で、レジスト汚染を防止する。【解決手段】SiC基板1の表面に選択的に形成された高濃度不純物領域2と、SiC基板1の上に載置された厚い絶縁膜3と、厚い絶縁膜3中に高濃度不純物領域2の表面を露出するように開口されたコンタクト窓4と、コンタクト窓4内底に自己整合的に配設された加熱反応層5と、コンタクト窓4内部において加熱反応層5の表面に接し、かつ厚い絶縁膜3の上部にまで伸延された配線導体6とを有するオーミック電極構造体。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板表面の高濃度不純物領域に電極母材を接触させる工程と、 前記電極母材を接触させた前記炭化珪素基板を熱処理して、前記電極母材と前記高濃度不純物領域を含む前記炭化珪素基板との間に加熱反応層前駆体層を形成する第1の熱処理工程と、 前記加熱反応層前駆体層上部に残された未反応の前記電極母材を除去する工程と、 前記未反応の電極母材を除去した後の炭化珪素基板を熱処理してコンタクト窓内底の前記加熱反応層前駆体層を前記加熱反応層に転化させる第2の熱処理工程と、 前記未反応の電極母材を除去した後の前記加熱反応層前駆体層上部に配線導体を配設する工程と、 を含んでなることを特徴とするオーミック電極構造体の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812
FI (7件)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/80 F ,  H01L29/78 658F
Fターム (40件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD11 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102HB01 ,  5F102HB02 ,  5F102HB07 ,  5F102HB09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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