特許
J-GLOBAL ID:201403065516698179
太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-064969
公開番号(公開出願番号):特開2014-192257
出願日: 2013年03月26日
公開日(公表日): 2014年10月06日
要約:
【目的】 実施形態の太陽電池は、高効率と低コストを両立させたタンデム型太陽電池を提供するものである。【解決手段】 実施形態の太陽電池は、Si層を光吸収層として含む第1の太陽電池セルと、I-III-VI2族化合物層又はI2-II-IV-VI4族化合物層を光吸収層として含む第2の太陽電池セルとを積層してなり、第1と第2の太陽電池セルの間に、n+型Si層と、p+型Si層、金属化合物層及びグラフェン層の中から選ばれる1種以上の中間層を有する(但し、金属化合物層は、MXで表され、MはNb、Mo、Pd、Ta,WとPtの中から選ばれる1種以上の元素であり、XはS、SeとTeの中から選ばれる1種以上の元素)。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
Si層を光吸収層として含む第1の太陽電池セルと、I-III-VI2族化合物層又はI2-II-IV-VI4族化合物層を光吸収層として含む第2の太陽電池セルとを積層してなり、
前記第1と第2の太陽電池セルの間に、n+型Si層と、p+型Si層、金属化合物層及びグラフェン層の中から選ばれる1種以上の中間層を有する太陽電池(但し、前記金属化合物層は、MXで表され、前記MはNb、Mo、Pd、Ta,WとPtの中から選ばれる1種以上の元素であり、前記XはS、SeとTeの中から選ばれる1種以上の元素)。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L31/04 W
, H01L31/04 E
Fターム (8件):
5F151AA05
, 5F151AA10
, 5F151DA04
, 5F151DA18
, 5F151FA02
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151FA15
引用特許:
引用文献:
審査官引用 (1件)
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Formation of transparent and ohmic ZnO:Al/MoSe2 contacts for bifacial Cu(In,Ga)Se2 solar cells and t
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