特許
J-GLOBAL ID：201403067715649023
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (17件)：
蔵田 昌俊
, 高倉 成男
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 赤穂 隆雄
, 井上 正
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-132384
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258213
出願日： 2012年06月11日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：
【課題】CMP工程における研磨特性の向上を図る。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板20上に形成された被研磨膜23に対してCMP法を行う工程を具備する。前記CMP法は、前記研磨布の表面にドレッサー15を当接させて、前記研磨布をコンディショニングする工程と、前記被研磨膜の表面を負のRsk値を有する研磨布の表面に当接させて前記被研磨膜を研磨する工程と、を含む。前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記研磨布の表面温度は40°C以上である。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された被研磨膜に対してCMP法を行う工程を具備し、
前記CMP法は、
回転する前記研磨布の表面に非ダイヤモンドドレッサーを当接させて、前記研磨布をコンディショニングする工程と、
前記被研磨膜の表面を負のRsk値を有する研磨布の表面に当接させて前記被研磨膜を研磨する工程と、
を含み、
前記研磨布をコンディショニングする工程において、前記ドレッサーに対して前記回転方向の上流側の前記研磨布の表面に水蒸気を供給することにより、前記研磨布の表面温度を40°C以上80°C以上にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F057AA07
, 5F057BA15
, 5F057CA12
, 5F057DA03
, 5F057EB13
, 5F057EB27
, 5F057FA39
, 5F057GA29
