特許
J-GLOBAL ID：201403067862662671
磁気センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
星宮 勝美
, 渡邊 和浩
, 城澤 達哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-151694
公開番号（公開出願番号）：特開2014-016161
出願日： 2012年07月05日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：
【課題】磁気抵抗効果素子の端面に接する電極に起因した検出精度の低下を抑制する。【解決手段】磁気センサは、MR素子50A,50Bと、これらを電気的に接続する電極40Aを備えている。電極40Aは、第1の面41aを有する第1の部分41と、第2の面42aを有する第2の部分42と、これらを連結する連結部43とを有している。第1の面41aは、MR素子50Aの端面に接し、第2の面42aは、MR素子50Bの端面に接している。第1の面41aと第2の面42aは、それぞれ、3回対称以上の回転対称形状を有している。第1の面41aの外縁に内接する第1の内接円41Bの直径、および第2の面42aの外縁に内接する第2の内接円42Bの直径は、連結部の幅Wよりも大きい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1および第2の磁気抵抗効果素子と、
前記第1および第2の磁気抵抗効果素子を電気的に接続する電極と
を備えた磁気センサであって、
前記第1および第2の磁気抵抗効果素子の各々は、第1の方向における互いに反対側に位置する第1の端面および第2の端面を有すると共に、前記第1の端面と第2の端面の間において前記第1の方向に沿って積層された第1の強磁性層、非磁性層および第2の強磁性層を含み、
前記第1および第2の磁気抵抗効果素子は、前記第1の方向に直交する第2の方向に並び、
前記電極は、第1の面を有する第1の部分と、第2の面を有する第2の部分と、前記第1の部分と第2の部分を連結する連結部とを有し、
前記第1の面の少なくとも一部は、前記第1の磁気抵抗効果素子の第1の端面に接し、 前記第2の面の少なくとも一部は、前記第2の磁気抵抗効果素子の第1の端面に接し、 前記第1の面と第2の面は、それぞれ、3回対称以上の回転対称形状を有し、
前記第1の面の外縁に内接する第1の内接円の直径、および前記第2の面の外縁に内接する第2の内接円の直径は、前記第1および第2の方向に直交する第3の方向についての前記連結部の幅よりも大きいことを特徴とする磁気センサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01R33/06 R
, H01L43/08 Z
, H01L43/08 D
2G017AA01
, 2G017AA03
, 2G017AB05
, 2G017AD55
, 2G017BA05
, 2G017BA15
, 5F092AA15
, 5F092AB01
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB05
, 5F092BC03
, 5F092BC42
, 5F092GA03
