半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-232270
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086467
出願日： 2012年10月19日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：

【課題】ボイドを形成することなく、高アスペクト比のトレンチを埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。【解決手段】トレンチの幅寸法を部分的に拡大させた拡大部10aを有するトレンチをエッチングによって形成するとともに該トレンチの内壁に絶縁膜を形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチの拡大部10aが開口部となり、幅寸法を拡大していないトレンチの深部のボイドにCVD材料ガスを供給し続け、ボイドがなくなるまで前記トレンチにCVD材料を埋め込んで絶縁トレンチ10を形成するトレンチ埋め込み工程と、を含む。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

絶縁トレンチを有する半導体装置の製造方法であって、トレンチの幅寸法を部分的に拡大させた拡大部を有するトレンチをエッチングによって形成するとともに該トレンチの内壁に絶縁膜を形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチの拡大部が開口部となり、幅寸法を拡大していないトレンチの深部のボイドにCVD材料ガスを供給し続け、ボイドがなくなるまで前記トレンチにCVD材料を埋め込んで絶縁トレンチを形成するトレンチ埋め込み工程と、を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 21/20 , B81C 1/00

FI (3件)：

H01L21/76 L , H01L21/20 , B81C1/00

Fターム (29件)：

3C081AA17 , 3C081BA04 , 3C081BA07 , 3C081BA28 , 3C081BA44 , 3C081BA47 , 3C081BA53 , 3C081CA14 , 3C081CA15 , 3C081CA29 , 3C081EA08 , 5F032AA11 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA47 , 5F032CA13 , 5F032DA02 , 5F032DA03 , 5F032DA12 , 5F032DA22 , 5F032DA33 , 5F152LL03 , 5F152LM02 , 5F152LM04 , 5F152LM05 , 5F152MM01 , 5F152NN03 , 5F152NQ03

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-171139
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-035901 出願人：OKIセミコンダクタ株式会社
半導体構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-015980 出願人：松下電工株式会社

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