半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-059322
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187084
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：

【課題】電流コラプスの抑制を実現させる窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】実施の形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、ドレイン電極とゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成される第1の窒化珪素膜と、窒化物半導体層とゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第2の窒化珪素膜と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、前記窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対し前記ソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成される第1の窒化珪素膜と、前記窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第2の窒化珪素膜と、前記ソース電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第3の窒化珪素膜と、を有し、前記第1の窒化珪素膜の珪素の窒素に対する原子比が、0.75以上であり、前記第1の窒化珪素膜の水素含有量が10at%以上であり、前記第1の窒化珪素膜の誘電率が7以下であり、前記第1の窒化珪素膜が引張り応力を備え、前記第2の窒化珪素膜の水素含有量が前記第1の窒化珪素膜の水素含有量よりも低く、前記第2の窒化珪素膜の塩素含有量が0.5at%以上であり、前記窒化物半導体層が、窒化ガリウムと前記窒化ガリウム上の窒化アルミニウムガリウムとの積層構造を備え、前記窒化アルミニウムガリウム上に前記第1および第2の窒化珪素膜が形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/318 M , H01L21/318 B

Fターム (40件)：

5F058BD10 , 5F058BD13 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF15 , 5F058BJ01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GS04 , 5F102GS06 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F140AA24 , 5F140AA30 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA17 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BD07 , 5F140BD17 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BJ06 , 5F140CC01 , 5F140CC08 , 5F140CC13 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (8件)

化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-086492 出願人：富士通株式会社
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-077406 出願人：株式会社日立製作所
窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-311782 出願人：古河電気工業株式会社, 長谷川文夫

全件表示

前のページに戻る