特許
J-GLOBAL ID：200903032563878228

半導体装置及びその製造方法

発明者：
牧山 剛三

牧山 剛三 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-042669
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205392
出願日： 2007年02月22日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】化合物半導体領域の表面における化学的な安定性の向上と、絶縁膜自体の良好な絶縁性という、保護絶縁膜に求められる相反する要求を共に満たし、高性能で信頼性に優れた半導体装置を実現する。【解決手段】化合物半導体領域2の表面を覆う保護絶縁膜10を性質の異なる第1の絶縁膜11と第2の絶縁膜12との2層構造を有するように形成する。第1の絶縁膜11は非ストイキオメトリのシリコン窒化膜、第2の絶縁膜12はほぼストイキオメトリの状態とされたシリコン窒化膜とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
化合物半導体領域と、 前記化合物半導体領域の表面の少なくとも一部を覆う保護絶縁膜と を含み、 前記保護絶縁膜は、前記化合物半導体基板の表面と化学的活性度の高い状態に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に積層され、前記第1の絶縁膜よりも化学的活性度の低い第2の絶縁膜とからなる2層構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/78
FI (8件)：
H01L21/318 M ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 J ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/318 B
Fターム (64件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BG27 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CB03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (12件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM