走査型トンネル顕微鏡法によるSi(111)上のGaSb初期成長層の研究

HARA Shinsuke; FUSE Kazuhiro; MACHIDA Ryuto; YAGISHITA Kazuki; IROKAWA Katsumi; MIKI Hirofumi; KAWAZU Akira; FUJISHIRO Hiroki I.

文献

J-GLOBAL ID：201102220519487748 整理番号：11A1393941

走査型トンネル顕微鏡法によるSi(111)上のGaSb初期成長層の研究

Study of Initial Growth Layer of GaSb on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 50 号： 8,Issue 4 ページ： 08LB03.1-08LB03.6 発行年： 2011年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

走査型トンネル顕微鏡法によってSi(111)上のGaSbの初期成長層が研究された。GaとSb原子をそれぞれ0.85と1.45単層ずつ同時に堆積した後,Sb/Si(111)-2×1と-√3×√3-R30°構造がSi(111)表面の大きな領域に形成された。さらに,それはSb/Si(111)構造のそれより2層高さだけ高い,交差ハッチパターンの突起が観察された。パターン面積はGaSbの初期成長に相当することが示唆される。層領域の3つのタイプが観察された。これらの領域はGaSbとSiとの間の格子不整によって発生されたひずみにより形成された。グループ-3と-5の極性表面構造に基づいてこれらの領域の原子構造モデルが提案される:1つの領域はひずみ緩和領域で最上部原子の再構築によって形成される;第2は再構築されたSi表面上に形成された層である;第3は1軸ひずみ緩和層である。3次元の帽子形状アイランドは局所表面領域にたまに形成することが観察された。初期成長層に似ている交差ハッチパターンが3つのアイランドのファセット上に観察された。それらのアイランドはGaSb結晶から成り立っていることが示唆される。GaSbの初期成長層が幾つかのアイランドの周りで観察された。これらの結果から,GaSbドット結晶は初期層の上に,エピタキシャル的に成長したことが推測される。(翻訳著者抄録)

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顕微鏡法 , 結晶成長技術・装置 , 半導体薄膜

引用文献 (29件)：

1) G. Balakrishnan, S. H. Huang, A. Khoshakhlagh, A. Jallipalli, P. Rotella, A. Amtout, S. Krishna, C. P. Haines, L. R. Dawson, and D. L. Huffaker: Electron. Lett. 42 (2006) 350.
2) Z. Zhao, K. Yadavalli, Z. Hao, and K. L. Wang: Nanotechnology 20 (2009) 035304.
3) Z. Mi and Y.-L. Chang: J. Nanophotonics 3 (2009) 031602.
4) A. G. Milnes and A. Y. Polyakov: Solid-State Electron. 36 (1993) 803.
5) Y. Nakamura, T. Sugimoto, and M. Ichikawa: J. Appl. Phys. 105 (2009) 014308.

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