特許

J-GLOBAL ID：200903084036980243

半導体ナノ構造体及びその作製方法

発明者： 間野 高明 ,  小口 信行
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-241522
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060088
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】 加工損傷がなく高品質で多様な構造形態の半導体ナノ構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 この出願の発明の半導体ナノ構造体の作製方法は、基板上に化合物半導体(AB)の構成元素Aの金属液滴を液滴エピタキシーにより形成し、構成元素Aの金属液滴に構成元素Bのビームを照射して化合物半導体(AB)が結晶化したナノ構造体を作製する際に、結晶化条件を制御することにより、得られるナノ構造体の構造を制御することを特徴とする。得られるナノ構造体の構造は、たとえば量子ドット、二重結合量子ドット、四重結合量子ドット、単一量子リング、同心二重量子リングとなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体のナノ構造体であって、2つの量子ドットが隣接して結合配置している二重結合量子ドットであることを特徴とする半導体ナノ構造体。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

H01L29/06 601D ,  H01L29/06 601Q ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/208 V

Fターム (4件)：

5F053AA44 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-116822号公報
  
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-158957   出願人：株式会社東芝
• 電子機能素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-318154   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-116822
  

審査官引用 (3件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-158957   出願人：株式会社東芝
• 電子機能素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-318154   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-116822
  

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Spectroscopy of Nanoscopic Semiconductor Rings

審査官引用 (1件)

• Spectroscopy of Nanoscopic Semiconductor Rings