半導体装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-077408
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029983
出願日： 2013年04月03日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：

【課題】本発明は、ヘテロ接合を有する半導体装置において、ゲート抵抗を低減しつつ高周波特性を実現するゲート電極を容易に形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、AlGaN層(4)を含むヘテロ接合半導体装置の製造方法であって、(a)AlGaN層(4)上のゲート電極9が配置される領域に、ダミー電極7を形成する工程と、(b)異方性のある装置を用いて、ダミー電極4側面を露出させつつ、AlGaN層(4)上に誘電膜8を堆積させる工程と、(c)ダミー電極7を除去することにより、誘電膜8に開口を形成する工程と、(d)開口内からその周辺の誘電膜8上に延在するゲート電極9を形成する工程とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

AlGaN層を含むヘテロ接合半導体装置の製造方法であって、 (a)AlGaN層上のゲート電極が配置される領域に、ダミー電極を形成する工程と、 (b)異方性のある装置を用いて、前記ダミー電極側面を露出させつつ、前記AlGaN層上に誘電膜を堆積させる工程と、 (c)前記ダミー電極を除去することにより、前記誘電膜に開口を形成する工程と、 (d)前記開口内からその周辺の前記誘電膜上に延在する前記ゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 29/41 , H01L 21/28 , H01L 29/423

FI (5件)：

H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L29/44 S , H01L21/28 301B , H01L29/58 Z

Fターム (38件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC03 , 4M104DD03 , 4M104DD07 , 4M104DD09 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD80 , 4M104EE02 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GS04 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HA04 , 5F102HC11 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭63-129632
微細パターンの形成方法と半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-317769 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-100554 出願人：三菱電機株式会社

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