特許
J-GLOBAL ID：200903047859736620

プラズマエッチング方法

発明者：
岸本 克史

岸本 克史 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-023393
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207925
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】 プラズマエッチング装置の電極間にグロー放電プラズマが発生し難い構成において、所望条件のグロー放電プラズマを容易に発生させる。 【解決手段】 エッチングガスより分解し易い希釈ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、プラズマ処理反応容器内にエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に、略同流量の希釈ガスの流量を減ずるように流量調整することにより、プラズマ処理反応容器内の圧力変動を低減し、発生したプラズマを維持したまま、前記ガス流量を所定値に設定し、所望の条件とする。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマ処理反応容器に希釈ガスを導入する希釈ガス導入工程と、プラズマ処理反応容器内の圧力を略一定に調整する圧力調整工程と、プラズマ処理反応容器内に設けられた電極に電力を投入してグロー放電プラズマを発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ処理反応容器内にエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に略同流量の前記希釈ガスの流量を減ずるガス制御工程と、前記希釈ガスおよび前記エッチングガスの流量を処理流量値に設定してエッチング処理を行うエッチング処理工程と、をこの順に行うプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 J
Fターム (26件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA07 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045EB06 ,  5F045EE17 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (12件)
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