炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法、及び同ウエハの製造装置、並びに炭化珪素半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：塩田伸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-066041
公開番号（公開出願番号）：特開2014-189436
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：

【課題】エピタキシャル成長層の表面欠陥密度を低減し、信頼性の高い炭化珪素半導体素子を形成可能な炭化珪素エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】α型の結晶構造を有し、(0001)Si面を0°よりも大きく5°未満傾斜させた炭化珪素基板上にエピタキシャル成長層が配される炭化珪素エピタキシャルウエハであって、前記炭化珪素基板の基板表面における基底面転位に起因するジャイアントステップバンチングに基づく前記エピタキシャル成長層の表面欠陥密度が、20個/cm2以下であり、炭化珪素エピタキシャルウエハの製造は、炭化珪素基板表面に対し、エッチングガスを導入する水素エッチング工程と、原料ガスを導入して前記基板表面上にエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程とを含み、前記水素エッチング工程は、前記基板表面に対するエッチング深さを1nm以下とするエッチング条件で実施される。【選択図】図8(a)

請求項（抜粋）：

α型の結晶構造を有し、(0001)Si面を0°よりも大きく5°未満傾斜させた炭化珪素基板上にエピタキシャル成長層が配される炭化珪素エピタキシャルウエハであって、前記炭化珪素基板の基板表面における基底面転位に起因するジャイアントステップバンチングに基づく前記エピタキシャル成長層の表面欠陥密度が、20個/cm2以下であることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハ。

IPC (5件)：

C30B 29/36 , H01L 21/205 , H01L 21/20 , C23C 16/42 , C30B 25/20

FI (5件)：

C30B29/36 A , H01L21/205 , H01L21/20 , C23C16/42 , C30B25/20

Fターム (44件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077HA05 , 4G077HA12 , 4G077TC17 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030DA04 , 4K030JA20 , 4K030LA12 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AD18 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB01 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045DA67 , 5F045EB15 , 5F045HA03 , 5F152LL03 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM06 , 5F152MM07 , 5F152MM18 , 5F152NN05 , 5F152NN27 , 5F152NQ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-283113 出願人：昭和電工株式会社
SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-198872 出願人：昭和電工株式会社
SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-103838 出願人：トヨタ自動車株式会社

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