特許
J-GLOBAL ID：201403074143910961

量子ドット型高速フォトダイオード

発明者：
梅沢 俊匡

梅沢 俊匡 について

, 
赤羽 浩一

赤羽 浩一 について

, 
菅野 敦史

菅野 敦史 について

, 
川西 哲也

川西 哲也 について


出願人/特許権者：
独立行政法人情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構 について


代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-008947
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143224
出願日： 2013年01月22日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：
【課題】光通信の高周波帯域に対応して十分な信号レベルの受信信号を出力する量子ドット型高速フォトダイオードを提供する。【解決手段】基板11と、P型半導体層14,15と、前記基板11に積層されたN型半導体層12と、前記P型半導体層14,15と前記N型半導体層12との間に形成された量子ドット21を含む量子ドット層からなり、高周波の光信号に対応する層厚を有する光吸収層13と、前記P型半導体層15に接続する第1電極17と、前記N型半導体層12に接続する第2電極16とを有し、前記第1電極17と前記第2電極16との間にバイアス電圧が印加されているとき、前記光吸収層13へ入射した光信号に応じて前記量子ドット21ならびに価電子帯から励起したキャリアの移動によって信号電流を出力することを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、 P型半導体層と、 前記基板に積層されたN型半導体層と、 前記P型半導体層と前記N型半導体層との間に形成された量子ドットを含む量子ドット層からなり、高周波の光信号に対応する層厚を有する光吸収層と、 前記P型半導体層に接続する第1電極と、 前記N型半導体層に接続する第2電極と、 を有し、 前記第1電極と前記第2電極との間にバイアス電圧が印加されているとき、 前記光吸収層へ入射した光信号に応じて前記量子ドットならびに価電子帯から励起したキャリアの移動によって信号電流を出力する、 ことを特徴とする量子ドット型高速フォトダイオード。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/107 ,  H01L 31/026
FI (3件)：
H01L31/10 A ,  H01L31/10 B ,  H01L31/08 L
Fターム (24件)：
5F049MA01 ,  5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB01 ,  5F049QA02 ,  5F049QA16 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ01 ,  5F049WA01 ,  5F088AA01 ,  5F088AA05 ,  5F088AB07 ,  5F088BA02 ,  5F088BA03 ,  5F088BA04 ,  5F088BB01 ,  5F088DA01 ,  5F088DA20 ,  5F088GA05 ,  5F088HA01 ,  5F088LA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM