特許
J-GLOBAL ID：201403076477688227
メモリリフレッシュ装置、情報処理システム、メモリリフレッシュ方法、および、コンピュータ・プログラム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
机 昌彦
, 下坂 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-205862
公開番号（公開出願番号）：特開2014-059831
出願日： 2012年09月19日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
【課題】システム全体の半導体メモリに対する読み書き性能を低下させることなく、一部のメモリセルに対するアクセス集中による近傍セルのエラー発生を低減する技術を提供すること。【解決手段】稼働中の半導体メモリ30の稼働状況を表すメモリ情報を監視するメモリ情報監視装置20からメモリ情報を取得するメモリ情報取得部11と、メモリ情報を記憶するメモリ情報記憶部12と、メモリ情報記憶部12に記憶されたメモリ情報に基づいて、稼働中の半導体メモリ30におけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定するリフレッシュレート調整部13と、リフレッシュレート調整部13により決定されたリフレッシュレートを各リフレッシュレート調整単位に対して設定するリフレッシュレート設定部14と、を備える。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
稼働中の半導体メモリの稼働状況を表すメモリ情報を監視するメモリ情報監視装置から前記メモリ情報を取得するメモリ情報取得部と、
前記メモリ情報を記憶するメモリ情報記憶部と、
前記メモリ情報記憶部に記憶された前記メモリ情報に基づいて、稼働中の前記半導体メモリにおけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定するリフレッシュレート調整部と、
前記リフレッシュレート調整部により決定されたリフレッシュレートを前記各リフレッシュレート調整単位に対して設定するリフレッシュレート設定部と、
を備えたメモリリフレッシュ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5B018GA07
, 5B018HA31
, 5B018KA01
, 5B018MA01
, 5B018NA02
, 5B018QA01
