特許
J-GLOBAL ID：201403077849765866
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-146636
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011293
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】抵抗率が極めて低いシリコンウェーハを用いる場合でも、エピタキシャル膜へのSFの発生低減とエピタキシャル膜面内の抵抗率の均一化を図れるエピタキシャルシリコンウェーハを製造可能なエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供すること。【解決手段】シリコンウェーハの裏面に酸化膜を形成する裏面酸化膜形成工程S6と、シリコンウェーハの外周部に存在する酸化膜を除去する裏面酸化膜除去工程S7と、裏面酸化膜除去工程S7後のシリコンウェーハに対し、アルゴンガス雰囲気下において1200°C以上1220°C以下の温度で60分以上120分以下の熱処理を行うアルゴンアニール工程S8と、アルゴンアニール工程S8後のシリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成工程S9,S10とを有する。【選択図】図20
請求項（抜粋）：
抵抗率が0.9mΩ・cm以下となるようにリンが添加されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜が設けられたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、
CZ法により製造された単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハの裏面に酸化膜を形成する裏面酸化膜形成工程と、
前記シリコンウェーハの外周部に存在する前記酸化膜を除去する裏面酸化膜除去工程と、
前記裏面酸化膜除去工程後の前記シリコンウェーハに対し、アルゴンガス雰囲気下において1200°C以上1220°C以下の温度で60分以上120分以下の熱処理を行うアルゴンアニール工程と、
前記アルゴンアニール工程後の前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成工程とを有することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/205
H01L21/322 Q
, H01L21/205
5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC05
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AF03
, 5F045AF16
, 5F045BB12
, 5F045EB15
, 5F045HA06
