特許
J-GLOBAL ID：201103007917536056
エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ウィルフォート国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-153495
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009613
出願日： 2009年06月29日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】リン(P)およびゲルマニウム(Ge)がドープされたシリコン結晶基板の裏面側にポリシリコン層が形成されたゲッタリング能力に優れるエピタキシャルシリコンウェーハの提供を目的とする。【解決手段】リンとゲルマニウムが高濃度ドープされたシリコン結晶基板の裏面側に、600°C未満のプロセス温度でポリシリコン層を成長させる。これにより、SFに起因してエピタキシャルシリコンウェーハの表面に生じるLPD(SFに起因して生じる)の個数を大幅に低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、
電気抵抗率調整用n型ドーパントとしてリンがドープされ、かつゲルマニウムがドープされたシリコン結晶基板を用意する第1ステップと、
前記シリコン結晶基板の裏面上に600°C未満の温度でポリシリコン層を形成する第2ステップと、
前記シリコン結晶基板の表面上にシリコンエピタキシャル層を形成する第3ステップと
を有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
4K030AA06
, 4K030BA29
, 4K030BB02
, 4K030BB03
, 4K030CA04
, 4K030DA03
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 5F045AA06
, 5F045AB02
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045AD09
, 5F045AD14
, 5F045AE19
, 5F045AF03
, 5F045BB12
