特許
J-GLOBAL ID：200903081342300443
シリコンウエーハの研磨方法および製造方法および円板状ワークの研磨装置ならびにシリコンウエーハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-379526
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186174
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】ハンドリングした後にパーティクルがウェーハ表面に付着することを防止でき、オートドーピングによって抵抗率が低下することもなく、更に生産性も低下することもないシリコンウエーハの研磨方法および製造方法およびこの方法を実施するのに適した円板状ワークの研磨装置ならびに裏面に酸化膜が形成されていてもハンドリングした後にパーティクルが表面に付着せず、オートドーピングによって抵抗率が低下しないシリコンウエーハを提供する。【解決手段】裏面側に酸化膜が形成されたシリコンウェーハの研磨方法であって、前記シリコンウエーハ51の面取り部52の酸化膜50を除去するとともに、該ウェーハ51の裏面外周部の酸化膜50を、該ウェーハ51裏面の最外周部から少なくとも2mm内側から外側に向かって酸化膜50の厚さが薄くなるように研磨することを特徴とするシリコンウエーハの研磨方法及び製造方法並びにシリコンウェーハ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
裏面側に酸化膜が形成されたシリコンウェーハの研磨方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハの面取り部の酸化膜を除去するとともに、該ウェーハの裏面外周部の酸化膜を、該ウェーハ裏面の最外周部から少なくとも2mm内側から外側に向かって酸化膜の厚さが薄くなるように研磨することを特徴とするシリコンウエーハの研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, B24B 37/02
H01L21/304 621E
, H01L21/304 622F
, B24B37/00 C
, B24B37/02 Z
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058AA14
, 3C058CB02
, 3C058CB10
, 3C058DA17
