特許
J-GLOBAL ID：201403078078807096
薄膜半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-119817
公開番号（公開出願番号）：特開2012-191228
特許番号：特許第5559244号
出願日： 2012年05月25日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、第1の半導体膜、第1のゲート電極、および第1のゲート絶縁膜を有する低電圧駆動薄膜トランジスタであって、前記第1のゲート電極は前記第1のゲート絶縁膜を介して前記第1の半導体膜上に形成されている、低電圧駆動薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板上に形成され、第2の半導体膜、第2のゲート電極、および第2のゲート絶縁膜を有する高電圧駆動薄膜トランジスタと
を含み、
前記第2の半導体膜は、前記絶縁基板上に形成され、前記第2のゲート電極は前記第2のゲート絶縁膜を介して前記第2の半導体膜上に形成され、
前記第2のゲート絶縁膜は、前記第1のゲート絶縁膜と前記第1のゲート絶縁膜上に形成された少なくとももう1つのゲート絶縁膜との組み合わせを含み、前記もう1つのゲート絶縁膜は、前記第1のゲート電極を被覆するために形成され、
p型ドーパント濃度が正の値によって表されてn型ドーパント濃度が負の値によって表されるときに、前記高電圧駆動薄膜トランジスタのチャネル領域に対する不純物ドーピング状態は、同じ導電型の前記低電圧駆動薄膜トランジスタのチャネル領域に対する不純物ドーピング状態と比較して、より負の側になるように調整される、薄膜半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 27/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/088 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 613 Z
, H01L 27/08 331 E
, H01L 27/08 321 D
, H01L 27/08 102 C
, H01L 27/08 102 B
, H01L 29/78 617 M
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
