特許
J-GLOBAL ID：201403081086731989

TMR磁気センサデバイスの製造方法

発明者：
杉野 隆紀

杉野 隆紀 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (7件)： 曾我 道治 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  上田 俊一 ,  吉田 潤一郎 ,  飯野 智史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-094057
公開番号（公開出願番号）：特開2014-215220
出願日： 2013年04月26日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
要約：
【課題】TMR磁気センサ部の熱容量を小さくすることで、TMR磁気センサ部の温度に対する応答性と制御性を高めジュール熱を応用した熱処理において固定層の磁化方向制御を行うTMR磁気センサデバイス等を提供する。【解決手段】支持基板のおもて面に、少なくとも1つのTMR磁気センサと、前記TMR磁気センサの近傍に、前記TMR磁気センサの固定層における磁化方向制御のための加熱を行う少なくとも1つの発熱抵抗素子と、を設け、前記支持基板の裏面の、設けられた前記TMR磁気センサから前記発熱抵抗素子にまたがる領域に対向する領域に、前記支持基板の熱容量を小さくするための少なくとも1つの凹部を設けた。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
支持基板のおもて面に、少なくとも1つのTMR磁気センサと、前記TMR磁気センサの近傍に、前記TMR磁気センサの固定層における磁化方向制御のための加熱を行う少なくとも1つの発熱抵抗素子と、を設け、前記支持基板の裏面の、設けられた前記TMR磁気センサから前記発熱抵抗素子にまたがる領域に対向する領域に、前記支持基板の熱容量を小さくするための少なくとも1つの凹部を設けたことを特徴とするTMR磁気センサデバイス。
IPC (3件)：
G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (3件)：
G01R33/06 R ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (15件)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017CB01 ,  2G017CB10 ,  2G017CB20 ,  2G017CC06 ,  5F092AA08 ,  5F092AB01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB04 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092CA08 ,  5F092EA07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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