特許
J-GLOBAL ID:201403083376128138
半導体モジュールおよびこれを用いた電力変換装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 武和国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-186350
公開番号(公開出願番号):特開2013-255424
出願日: 2013年09月09日
公開日(公表日): 2013年12月19日
要約:
【課題】冷却機能を備えた電力変換装置において、小型化に繋がり、製品化の上で必要な信頼性の向上や生産性の向上に繋がること。【解決手段】上アーム回路を構成する第1パワー半導体素子52,56と、下アーム回路を構成する第2パワー半導体素子62,66と、第1パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第1導体板534及び第2導体板584と、第2パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第3導体板544及び第4導体板574とは、リカバリ電流が第1導体板534、第1パワー半導体素子52,56、第2導体板584、第3導体板544、第2パワー半導体素子62,66、第4導体板574の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、第1放熱板522と第2放熱板562には、ループ形状のリカバリ電流によって渦電流605,606が誘起されて、スイッチング動作時のインダクタンスを低減する。【選択図】図34
請求項(抜粋):
インバータ回路を構成する上アーム回路及び下アーム回路の直列回路を内蔵した半導体モジュールと、前記半導体モジュールに供給する直流電圧を平滑化するための平滑コンデンサと、を備え、
前記半導体モジュールは複数個設けられ、かつそれぞれの半導体モジュールは、
前記上アーム回路を構成する第1パワー半導体素子と、
前記下アーム回路を構成する第2パワー半導体素子と、
前記第1パワー半導体素子の一方の側に配置されるとともに当該第1パワー半導体素子の一方の電極とはんだを介して接続される第1導体板と、
前記第1パワー半導体素子の他方の側に配置されるとともに当該第1パワー半導体素子の他方の電極とはんだを介して接続される第2導体板と、
前記第2パワー半導体素子の一方の側に配置されるとともに当該第2パワー半導体素子の一方の電極とはんだを介して接続される第3導体板と、
前記第2パワー半導体素子の他方の側に配置されるとともに当該第2パワー半導体素子の他方の電極とはんだを介して接続される第4導体板と、
第1絶縁部材を介して前記第1導体板及び前記第3導体板と対向する位置に配置される金属製の第1放熱板と、
第2絶縁部材を介して前記第2導体板及び前記第4導体板と対向する位置に配置される金属製の第2放熱板と、
前記直列回路に電流を供給する正極端子及び負極端子と、を備え、
前記第1パワー半導体素子と前記第2パワー半導体素子と前記第1導体板と前記第2導体板と前記第3導体板と前記第4導体板は、前記リカバリ電流が当該第1導体板、当該第1パワー半導体素子、当該第2導体板、当該第3導体板、当該第2パワー半導体素子、当該第4導体板の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、
前記第1放熱板と前記第2放熱板には、前記ループ形状のリカバリ電流によって渦電流
が誘起される電力変換装置。
IPC (5件):
H02M 7/48
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/36
, H01L 23/473
FI (4件):
H02M7/48 Z
, H01L25/04 C
, H01L23/36 D
, H01L23/46 Z
Fターム (31件):
5F136BA04
, 5F136BA14
, 5F136BA15
, 5F136BC02
, 5F136BC05
, 5F136BC07
, 5F136CB01
, 5F136CB07
, 5F136DA22
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136EA23
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA12
, 5F136FA51
, 5F136GA01
, 5F136GA14
, 5F136GA40
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007CC05
, 5H007CC23
, 5H007DC02
, 5H007FA01
, 5H007HA03
, 5H007HA04
, 5H007HA06
, 5H007HA07
引用特許:
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