特許
J-GLOBAL ID：201403085045623085
半導体基板及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-045725
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175412
出願日： 2013年03月07日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
【課題】基底面転位に起因した特性の劣化を抑制することができる半導体基板及び半導体装置を提供すること。【解決手段】実施形態に係る半導体基板は、基板と、半導体層と、を備える。前記基板は、第1面を有し炭化珪素を含む。前記半導体層は、前記第1面の上に設けられ、前記第1面に対して垂直な方向にHセンチメートルの厚さを有し、前記基板の(0001)面にオフ角度θを設けて結晶成長した炭化珪素を含む。前記半導体層は、前記方向にみて1平方センチメートル当たりにn個の基底面転位を含む。S=(1/2)×H2/(tanθ(sinθ×tan30°))平方センチメートル、とした場合、k×S<0.075平方センチメートルを満たす。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1面を有し炭化珪素を含む基板と、
前記第1面の上に設けられ、前記第1面に対して垂直な方向にHセンチメートルの厚さを有し、前記基板の(0001)面に対してオフ角度θを設けて結晶成長された炭化珪素を含む半導体層と、
を備え、
前記半導体層は、前記垂直方向にみて1平方センチメートル当たりにk個の基底面転位を含み、
S=(1/2)×H2/(tanθ(sinθ×tan30°))平方センチメートル、とした場合、
k×S<0.075平方センチメートルを満たす半導体基板。
IPC (10件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 29/868
, H01L 29/861
, H01L 21/329
, H01L 29/06
, H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L21/20
, H01L21/205
, H01L29/91 F
, H01L29/91 A
, H01L29/91 B
, H01L29/91 D
, H01L29/06 301V
, H01L29/06 301D
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658E
5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AF02
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA19
, 5F045DA67
, 5F152AA12
, 5F152LM08
, 5F152MM02
, 5F152MM04
, 5F152MM07
, 5F152NN27
, 5F152NN30
, 5F152NP02
, 5F152NQ02
