特許

J-GLOBAL ID：201003099316812956

低角度オフカット炭化ケイ素結晶上の安定なパワーデバイス

発明者： チャン チンチュン ,  アナント アガルワル ,  ドイル クレイグ カペル ,  アルバート バーク ,  ジェーゼフ スマケリス ,  マイケル オローリン
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-272182
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135789
出願日： 2009年11月30日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】炭化ケイ素中の結晶欠陥を低減することができるプロセスならびにその結果得られる構造体およびデバイスを提供すること。【解決手段】炭化ケイ素ベースのパワーデバイスが、<0001>方向に対して8°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素ドリフト層を含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素ベースのパワーデバイスであって、 <0001>方向に対して0°よりも大きく8°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素ドリフト層を備えたことを特徴とするパワーデバイス。

IPC (14件)：

H01L 29/161 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205

FI (12件)：

H01L29/161 ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/72 P ,  H01L29/74 601A ,  H01L29/74 F ,  H01L29/74 C ,  H01L29/48 D ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L21/205

Fターム (29件)：

4M104AA03 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  5F003AP06 ,  5F003AZ01 ,  5F003BC08 ,  5F003BC90 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ04 ,  5F005AD02 ,  5F005AE07 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005BA01 ,  5F005CA01 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045CA01 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 炭化珪素半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-405259   出願人：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所
• 炭化ケイ素サイリスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-506582   出願人：クリー・リサーチ・インコーポレイテッド
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072640   出願人：株式会社東芝
• 集積型バイポーラ半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-034645   出願人：関西電力株式会社
• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-127471   出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-305303   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体SiC技術と応用, 20030331, 35〜37,58頁