有機半導体組成物

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170879
公開番号（公開出願番号）：特開2014-013920
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
要約：

【課題】特定の有機化合物と高分子材料を含む組成物およびインクを用いることで、耐熱性、大気安定性、基板濡れ性に優れた、電界効果トランジスタ用の材料、および製造法を提供すること。【解決手段】下記一般式(1)で表される部分構造を有する有機半導体材料および高分子材料を含む組成物およびインク。(式中、XはS、Se、またはTeを表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体材料および高分子材料を含む組成物であって、下記一般式(1)で表される部分構造を有する有機半導体材料を用いることを特徴とする、組成物。

IPC (8件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , C09D 11/00 , C07D 495/04 , C07D 517/04

FI (11件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A , H01L29/28 310L , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 627F , C09D11/00 , C07D495/04 101 , C07D517/04

Fターム (69件)：

4C071AA01 , 4C071AA07 , 4C071BB01 , 4C071BB06 , 4C071CC22 , 4C071DD04 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG01 , 4C071GG02 , 4C071LL10 , 4J039AD03 , 4J039AD10 , 4J039BC03 , 4J039BC05 , 4J039BC69 , 4J039BE12 , 4J039CA04 , 4J039EA48 , 4J039GA02 , 4J039GA10 , 4J039GA24 , 5F110AA17 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (3件)

有機装置の電気性質を向上する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-210177 出願人：財団法人工業技術研究院
半導層および絶縁層を形成するために混合溶液を使ってボトムゲート型薄膜トランジスタを形成する改良された方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-178743 出願人：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド
電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-547243 出願人：アベシア・リミテッド

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