特許
J-GLOBAL ID：201403087221995973

半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法

発明者：
楠木 克輝

楠木 克輝 について

, 
佐藤 壽朗

佐藤 壽朗 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 古部 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-012242
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143358
出願日： 2013年01月25日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：
【課題】基板上に成膜される単結晶膜中に生じる貫通転位の発生を許容し、良好な発光特性を有するIII族窒化物半導体を用いた半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に積層されたn型半導体層141,142と、障壁層151およびIn原子を含む井戸層152が交互に複数積層された多重量子井戸構造の発光層と、p型半導体層160(161,162)とを有し、発光層は、3層以上の井戸層と、それぞれを両側から挟み込み、n型半導体層およびp型半導体層と接続される4層以上の障壁層であって、井戸層は、n型半導体層に近い側から順に設けられる複数のn側井戸層と、p型半導体層に近い側の1つのp側井戸層からなり、発光層は、p型半導体層側に開口した凹部の斜面からなるV字状凹部150Vが生じており、少なくとも1層以上のn側井戸層の斜面のIn原子の濃度がn側井戸層内に存在するIn原子の濃度の50%以下である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に積層されたn型半導体層と、障壁層およびIn原子を含む井戸層が交互に複数積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、p型半導体層と、を有し、 前記発光層は、3層以上の前記井戸層と、3層以上の当該井戸層のそれぞれを両側から挟み込むとともに、前記n型半導体層との境界部にて当該n型半導体層と接続され且つ前記p型半導体層との境界部にて当該p型半導体層と接続される4層以上の前記障壁層とを備え、 3層以上の前記井戸層は、前記n型半導体層に近い側から順に設けられる複数のn側井戸層と、前記p型半導体層に近い側の1つのp側井戸層とからなり、 前記発光層には、前記p型半導体層側に開口した凹部の斜面からなるV字状凹部が生じており、少なくとも1層以上の前記n側井戸層の当該斜面のIn原子の濃度が当該n側井戸層内に存在するIn原子の濃度の50%以下である ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/32 ,  H01L 33/06 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L33/00 186 ,  H01L33/00 112 ,  H01L21/205
Fターム (33件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F141AA21 ,  5F141AA40 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA23 ,  5F141CA40 ,  5F141CA60 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA88
引用特許：
審査官引用 (4件)
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