特許
J-GLOBAL ID：200903036463256640

III族窒化物系半導体発光素子

発明者：
京野 孝史

京野 孝史 について

, 
善積 祐介

善積 祐介 について

, 
上野 昌紀

上野 昌紀 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-054648
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218746
出願日： 2007年03月05日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】駆動電圧を低減可能なIII族窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】活性層17が設けられた半導体表面19は、(0001)面に等しい第1の面19aと、該第1の面19aに対して傾斜したファセット面から成る第2の面19bとを有する。InGaN井戸層21は、ファセット面19b上に位置する第1の部分21aと、第1の面19a上に位置する第2の部分21bとを含む。同様に、InGaN障壁層23は、ファセット面19b上に位置する第1の部分23aと、第1の面19a上に位置する第2の部分23bとを含む。InGaN井戸層21において、第2の部分21bの厚さd21bは第1の部分21aの厚さd21aより薄く、ファセット面を有する半導体表面19上に活性層17を成長することによってInGaN井戸層21が部分的に薄くなっている。半導体表面19におけるファセット面はVピットによって提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型窒化ガリウム系半導体領域と第2導電型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられ、第1の面と該第1の面に対して傾斜したファセット面から成る第2の面とを有する半導体表面上に設けられた活性層を備え、 前記活性層は、InX1Ga1-X1N(0<X1<1)からなる井戸層およびInX2Ga1-X2Nからなる(0≦X2<X1)障壁層を含み、 前記井戸層は第1および第2の部分を含み、前記第1の部分は前記第1の面上に位置し、前記第2の部分は前記ファセット面上に位置し、 前記井戸層の前記第2の部分の厚さは、前記井戸層の前記第1の部分の厚さより薄い、ことを特徴とするIII族窒化物系半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (6件)：
5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA87
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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