III族窒化物系半導体結晶、III族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体自立基板、窒化物半導体デバイス、及び整流ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：油井透 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-198472
公開番号（公開出願番号）：特開2014-051423
出願日： 2012年09月10日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：

【課題】低キャリア濃度であって、高い耐圧特性及び低オン抵抗を実現することができるIII族窒化物系半導体結晶、III族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体自立基板、窒化物半導体デバイス、及び整流ダイオードを提供する。【解決手段】ドナー型不純物を含有し、結晶中の水素濃度が2.0E+16cm-3以下のIII族窒化物系半導体結晶である。ドナー型不純物の濃度が1.0E+17cm-3以下の領域において、ドナー型不純物の濃度とキャリア濃度とは比例関係にある。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドナー型不純物を含有し、結晶中の水素濃度が2.0E+16cm-3以下であることを特徴とするIII族窒化物系半導体結晶。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 29/861 , H01L 29/868

FI (4件)：

C30B29/38 D , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L29/91 F

Fターム (35件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030FA10 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045CA19 , 5F045DA60 , 5F045DA68

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ガリウム系半導体電子デバイス、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板を作製する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-314652 出願人：住友電気工業株式会社
3-5族化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066254 出願人：住友化学工業株式会社
III族窒化物結晶およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-068614 出願人：株式会社リコー

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