特許
J-GLOBAL ID：200903000107076900
III-V族窒化物系半導体基板及びその製造ロット、並びにIII-V族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097044
公開番号（公開出願番号）：特開2005-263609
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 熱に安定で、サーマルクリーニングによる表面荒れが生じにくいIII-V族窒化物系半導体基板及びその製造ロット、並びにIII-V族窒化物系半導体基板を用いたIII-V族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のIII-V族窒化物系半導体基板は、少なくとも表面近傍がIII-V族窒化物系半導体の単結晶からなり、表面近傍の前記単結晶中の水素原子濃度[H](水素原子数/cm3)と前記単結晶の表面における転位密度[D](個/cm2)との積([H]×[D])が1×1025以下であることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
少なくとも表面近傍がIII-V族窒化物系半導体の単結晶からなる基板であって、表面近傍の前記単結晶中の水素原子濃度[H](水素原子数/cm3)と前記単結晶の表面における転位密度[D](個/cm2)との積([H]×[D])が1×1025以下であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077DA05
, 4G077DB04
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077EA02
, 4G077EB06
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077EH05
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077SC01
, 4G077TA04
, 4G077TB04
, 4G077TB05
, 4G077TK08
, 4G077TK11
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)
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