特許

J-GLOBAL ID：201403088330377879

物理量センサ

発明者： 佐藤 功二 ,  大塚 澄 ,  市川 祐介 ,  臼井 和男 ,  伊藤 圭哉 ,  鈴木 晴視
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-174958
公開番号（公開出願番号）：特開2014-035200
出願日： 2012年08月07日
公開日（公表日）： 2014年02月24日
要約：

【課題】温度に対する配線部の抵抗値変化量を小さくすることができる物理量センサを提供する。【解決手段】配線部14のうち、保護部材50で覆われている第1領域14aの抵抗値を保護部材50から露出している第2領域14bの抵抗値より小さくする。これによれば、センサチップ10と保護部材50との熱膨張係数の違いによって熱応力が発生し、この熱応力が保護部材50に覆われている第1領域14aに印加された場合、第1領域14aの抵抗値が第2領域14bの抵抗値と等しくされている場合と比較して、抵抗値変化量を小さくすることができる。このため、配線部14全体の抵抗値変化量を小さくすることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

一面に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(11)および前記センシング部と配線部(14)を介して電気的に接続されるパッド(15)が形成されたセンサチップ(10)と、 前記センサチップを搭載する収容凹部(21)が形成された搭載部材(20)と、 前記パッドと電気的に接続されるワイヤ(30)と、 前記センシング部を露出させつつ、前記パッドと前記ワイヤとの接続部分を含む領域を覆う保護部材(50)と、を備え、 前記配線部は、前記保護部材で覆われている第1領域(14a)の抵抗値が前記保護部材から露出している第2領域(14b)の抵抗値より小さくされていることを特徴とする物理量センサ。

IPC (1件)：

G01F 1/684

FI (1件)：

G01F1/68 101Z

Fターム (2件)：

2F035EA03 ,  2F035EA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-363629   出願人：株式会社デンソー
• センサ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-276246   出願人：株式会社デンソー
• シリコン製マイクロセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-257345   出願人：日本特殊陶業株式会社