特許
J-GLOBAL ID:201403088545222957

成膜装置及び成膜方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-039726
公開番号(公開出願番号):特開2014-167152
出願日: 2013年02月28日
公開日(公表日): 2014年09月11日
要約:
【課題】プラズマALDを用いて搬送する基板に対して成膜するとき、成膜を効率よく行うことができ、しかも、簡単な構成でALDを実現する。【解決手段】成膜装置は、基板の搬送機構と、プラズマ生成電極と、空間仕切り壁と、インジェクタと、を有する。プラズマ生成電極は、前記基板の搬送経路に対向するように設けられ、給電により、反応性ガスを用いてプラズマを生成する。空間仕切り壁は、前記搬送経路と前記プラズマ生成電極との間に設けられる。この空間仕切り壁には、前記プラズマの一部あるいは前記プラズマから生成されるラジカルあるいはイオンが通過するスリット状の貫通孔が間隔をあけて複数設けられる。インジェクタは、前記空間仕切り壁と前記搬送経路との間において、前記貫通孔のうち隣接する貫通孔によって前記搬送方向の両側から挟まれるように設けられ、前記成膜用ガスを成膜用ガス供給口から前記基板に向けて供給する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
成膜用ガスと反応性ガスを用いて原子層単位で薄膜を形成する成膜装置であって、 成膜容器と、 前記成膜容器内で成膜用の基板を搬送する搬送機構と、 前記成膜容器内の、搬送中の前記基板の搬送経路に対向するように設けられ、電力の供給を受けることにより、前記成膜空間内の反応性ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成電極と、 前記成膜容器内の、前記基板の搬送経路と前記プラズマ生成電極との間に設けられ、前記プラズマ生成電極との間でプラズマ生成空間を形成する壁であって、前記プラズマの一部あるいは前記プラズマから生成されるラジカルあるいはイオンが通過することのできるスリット状の貫通孔が前記基板の搬送方向に沿って間隔をあけて複数設けられた空間仕切り壁と、 前記空間仕切り壁と前記搬送経路との間において、前記貫通孔のうち隣接する貫通孔によって前記搬送方向の両側から挟まれるように設けられ、前記成膜用ガスを成膜用ガス供給口から前記基板に向けて供給するガスインジェクタと、を有することを特徴とする成膜装置。
IPC (3件):
C23C 16/455 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (4件):
C23C16/455 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 M
Fターム (27件):
4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030GA14 ,  4K030KA12 ,  4K030KA14 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045DP22 ,  5F045DQ12 ,  5F045EE19 ,  5F045EF08 ,  5F045EG02 ,  5F045EH13 ,  5F045EK06
引用特許:
審査官引用 (4件)
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