基板処理装置及び基板処理方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：別役重尚 , 村松聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-033851
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192197
出願日： 2009年02月17日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置10は、ウエハWを収容するチャンバ11内部をプラズマ生成室12及びウエハ処理室13に仕切るイオントラップ14と、プラズマ生成室12内に配置される高周波アンテナ15と、プラズマ生成室12内に処理ガスを導入する処理ガス導入部16と、ウエハ処理室13内に配置されてウエハWを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台17とを備え、イオントラップ14は、プラズマ生成室12からウエハ処理室13へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板20及び下側イオントラップ板21を有し、上側イオントラップ板20及び下側イオントラップ板21のそれぞれは設置された導電体20a,21aと該導電体20a,21aの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜20b,21bとを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板を収容する収容室と、該収容室をプラズマ生成室及び基板処理室に仕切る仕切部材と、前記プラズマ生成室内に配置される高周波アンテナと、前記プラズマ生成室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、前記基板処理室内に配置されて前記基板を載置し且つバイアス電圧が印加される載置台とを備える基板処理装置であって、前記仕切部材は、接地された導電体と該導電体の表面を覆う絶縁体とを有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , H01L 21/304 , H01L 21/31 , H01L 21/306 , C23C 16/505

FI (7件)：

H05H1/46 L , H01L21/304 645C , H01L21/31 C , H01L21/302 101C , H01L21/302 102 , H01L21/302 105A , C23C16/505

Fターム (67件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030KA02 , 4K030KA12 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F004AA06 , 5F004AA14 , 5F004BA03 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BC08 , 5F004BD04 , 5F004BD07 , 5F004CA09 , 5F004DA24 , 5F004DB00 , 5F004EA40 , 5F004EB01 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045DQ11 , 5F045EB02 , 5F045EC01 , 5F045EE19 , 5F045EF05 , 5F045EH06 , 5F045EH11 , 5F045EH18 , 5F045EH19 , 5F045EK07 , 5F157AA65 , 5F157AA73 , 5F157AA94 , 5F157AB02 , 5F157AB33 , 5F157AB42 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BG35 , 5F157BG82 , 5F157BG85 , 5F157BG91 , 5F157BH15 , 5F157CA31 , 5F157CE23 , 5F157CE63 , 5F157CF93 , 5F157DA21 , 5F157DB02 , 5F157DB17

引用特許：

審査官引用 (8件)

プラズマ発生装置及びその方法、並びにプラズマ処理装置及びその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-101244 出願人：松下電器産業株式会社
プラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-042316 出願人：日新電機株式会社, 株式会社イー・エム・ディー
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-174447 出願人：東京エレクトロン株式会社

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