特許
J-GLOBAL ID：201403088851474927
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-039453
公開番号（公開出願番号）：特開2014-167992
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
要約：
【課題】自己組織化材料のミクロ相分離を利用して精度の高いパターンを形成するパターン形成方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、基板の第1面上に、第1凹パターン及び第2凹パターンを含む第1マスク層を形成する工程と、前記第1凹パターン内に、保護膜を設ける工程と、前記第2凹パターン内に、自己組織化材料を設ける工程と、前記自己組織化材料を相分離させて前記第2凹パターン内に第1相と第2相とを形成する工程と、前記第1相とともに前記保護膜を除去し、前記第1凹パターンと、前記第2凹パターン内に設けられ前記第2凹パターンの開口幅よりも狭い開口幅を有する第3凹パターンと、を有する第2マスク層を形成する工程と、前記第2マスク層をマスクとして前記基板を加工する工程と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の第1面上に、第1凹パターン及び第2凹パターンを含む第1マスク層を形成する工程と、
前記第1凹パターン内に、保護膜を設ける工程と、
前記第2凹パターン内に、自己組織化材料を設ける工程と、
前記自己組織化材料を相分離させて前記第2凹パターン内に第1相と第2相とを形成する工程と、
前記第1相とともに前記保護膜を除去し、前記第1凹パターンと、前記第2凹パターン内に設けられ前記第2凹パターンの開口幅よりも狭い開口幅を有する第3凹パターンと、を有する第2マスク層を形成する工程と、
前記第2マスク層をマスクとして前記基板を加工する工程と、
を備え、
前記保護膜は、前記第1相に含まれるポリマーと同じポリマーを含み、
前記保護膜及び前記第1相のそれぞれは、アルカリ可溶材料、酸可溶材料及び水溶性材料よりなる群から選択された1つを含み、
前記保護膜を形成する工程は、
前記第1マスク層の上にポジ型レジスト膜を形成する工程と、
前記ポジ型レジスト膜に選択的に光を照射した後、前記ポジ型レジスト膜を現像して前記ポジ型レジスト膜の前記第1凹パターンの上に開口部を形成する工程と、
前記第1凹パターン内及び前記開口部に保護膜の材料を設けた後、前記ポジ型レジスト膜を除去する工程と、
を含み、
前記第1相とともに前記保護膜を除去する工程は、ウエットエッチング及びドライエッチングの少なくともいずれかを含むパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 502D
, H01L21/30 570
, G03F7/40 511
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA05
, 2H096LA02
, 2H096LA06
, 2H196AA25
, 2H196BA01
, 2H196BA09
, 2H196HA33
, 2H196LA02
, 2H196LA06
, 5F146AA28
, 5F146JA22
, 5F146LA18
