特許
J-GLOBAL ID:201403092130449694

半導体装置、表示装置および電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-067983
公開番号(公開出願番号):特開2014-192418
出願日: 2013年03月28日
公開日(公表日): 2014年10月06日
要約:
【課題】高い耐圧特性を有する半導体装置、その半導体装置を備えた表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第1重畳領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、前記低抵抗領域と前記第1重畳領域との間に第1離間領域を有するトランジスタを備えた半導体装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ゲート電極と、 前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第1重畳領域を有する酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、 前記低抵抗領域と前記第1重畳領域との間に第1離間領域を有する トランジスタを備えた 半導体装置。
IPC (5件):
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/136
FI (8件):
H01L29/78 617A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 612Z ,  H01L21/28 301R ,  H05B33/14 A ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 301B
Fターム (97件):
2H192AA24 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB42 ,  2H192CB52 ,  2H192CB53 ,  2H192CB54 ,  2H192CB61 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC13 ,  3K107CC29 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD72 ,  4M104EE06 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG19 ,  5F110AA02 ,  5F110AA13 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ16 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12
引用特許:
審査官引用 (5件)
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