特許
J-GLOBAL ID:201403092130449694
半導体装置、表示装置および電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-067983
公開番号(公開出願番号):特開2014-192418
出願日: 2013年03月28日
公開日(公表日): 2014年10月06日
要約:
【課題】高い耐圧特性を有する半導体装置、その半導体装置を備えた表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第1重畳領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、前記低抵抗領域と前記第1重畳領域との間に第1離間領域を有するトランジスタを備えた半導体装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第1重畳領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、
前記低抵抗領域と前記第1重畳領域との間に第1離間領域を有する
トランジスタを備えた
半導体装置。
IPC (5件):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 51/50
, G02F 1/136
FI (8件):
H01L29/78 617A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617M
, H01L29/78 612Z
, H01L21/28 301R
, H05B33/14 A
, G02F1/1368
, H01L21/28 301B
Fターム (97件):
2H192AA24
, 2H192CB05
, 2H192CB37
, 2H192CB42
, 2H192CB52
, 2H192CB53
, 2H192CB54
, 2H192CB61
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC13
, 3K107CC29
, 3K107CC45
, 3K107EE03
, 4M104AA03
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB30
, 4M104BB31
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD20
, 4M104DD37
, 4M104DD65
, 4M104DD72
, 4M104EE06
, 4M104EE09
, 4M104EE14
, 4M104EE15
, 4M104EE17
, 4M104FF04
, 4M104FF13
, 4M104FF17
, 4M104FF18
, 4M104GG09
, 4M104GG19
, 5F110AA02
, 5F110AA13
, 5F110CC02
, 5F110CC08
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE32
, 5F110EE42
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG43
, 5F110HJ01
, 5F110HJ16
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL07
, 5F110HL11
, 5F110HM14
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN16
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN36
, 5F110NN37
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ08
, 5F110QQ11
, 5F110QQ12
引用特許:
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